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SI2308BDS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2308BDS-T1-GE3
库存编号1838997RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.3A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.09W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±20V Gate-source voltage
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.09W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00004