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SI2319DS-T1-E3
场效应管, MOSFET, P沟道, 40V, 2.3A, SOT23-3
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| 500+ | CNY3.200 (CNY3.616) |
| 1500+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
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产品概述
SI2319DS-T1-E3 是一款-40V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
750mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.082ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2319DS-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002