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SI2342DS-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 8 V, 6 A, 0.017 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.510 (CNY1.7063) |
| 9000+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
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CNY4,530.00 (CNY5,118.90 含税)
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
8V
漏源接通状态电阻
0.017ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00002