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SI3473DDV-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI3473DDV-T1-GE3
库存编号2932887
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续8A
漏源接通状态电阻0.0145ohm
晶体管封装类型TSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散3.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen III
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
3.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.0145ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002