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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.380 (CNY8.3394) |
| 50+ | CNY6.150 (CNY6.9495) |
| 100+ | CNY4.920 (CNY5.5596) |
| 500+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
| 1500+ | CNY3.450 (CNY3.8985) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 5
多件: 5
CNY36.90 (CNY41.70 含税)
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI3483CDV-T1-E3
库存编号1839000
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续8A
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型TSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散2W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
SI3483CDV-T1-E3 是一款30VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关应用。
- 工作温度范围: -55至150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI3483CDV-T1-E3 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000046