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SI3493DDV-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, 表面安装
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| 50+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
| 100+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 500+ | CNY1.220 (CNY1.3786) |
| 1500+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
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品項附註
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产品概述
- 20V, 8A P-channel TrenchFET® Gen III power MOSFET in 6 pin TSOP package
- RDS(on) rating at VGS = -1.8V
- 100 % Rg and UIS tested
- Used for battery management in mobile devices, battery switch, load switch and PA switch
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
3.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013