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| 10+ | CNY14.530 (CNY16.4189) |
| 100+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 500+ | CNY8.870 (CNY10.0231) |
| 1000+ | CNY7.940 (CNY8.9722) |
| 5000+ | CNY6.830 (CNY7.7179) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4465ADY-T1-E3
库存编号2335314
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds8V
电流, Id 连续13.7A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值450mV
功率耗散6.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
- P-channel 1.8-V (G-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
6.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
8V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
450mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000138