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SI4559ADY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4559ADY-T1-GE3
库存编号3772758RL
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续4.5A
连续漏极电流 Id N沟道5.3A
在电阻RDS（上）0.046ohm
连续漏极电流 Id P沟道5.3A
漏源通态电阻N沟道0.046ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.046ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
5.3A
连续漏极电流 Id P沟道
5.3A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.046ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.046ohm
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000383