打印页面
SI4564DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
6,997 有货
2,500 您现在可以预订货品了
6997 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.200 (CNY10.396) |
| 50+ | CNY7.710 (CNY8.7123) |
| 100+ | CNY6.220 (CNY7.0286) |
| 500+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 1000+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY46.00 (CNY51.98 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4564DY-T1-GE3
库存编号2056723
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道10A
连续漏极电流 Id P沟道10A
漏源通态电阻N沟道0.0145ohm
漏源导通电阻P沟道0.0145ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SI4564DY-T1-GE3 是一款40V, 双N和P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
10A
漏源导通电阻P沟道
0.0145ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
10A
漏源通态电阻N沟道
0.0145ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000253