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SI4948BEY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 2.4 A
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4948BEY-T1-GE3
库存编号1779277RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.4A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）0.1ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.1ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.4W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The SI4948BEY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
-
电流, Id 连续
2.4A
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
2.4A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.1ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.4W
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127