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SI4948BEY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 2.4 A
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4948BEY-T1-GE3
库存编号1779277RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续2.4A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.1ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道2.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.1ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.4W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI4948BEY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
2.4A
在电阻RDS（上）
0.1ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.4A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.1ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.4W
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127