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SI5513CDC-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI5513CDC-T1-GE3
库存编号3772765RL
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续4A
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.045ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.045ohm
晶体管封装类型ChipFET
阈值栅源电压最大值600mV
功耗 Pd3.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.045ohm
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.045ohm
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
ChipFET
功耗 Pd
3.1W
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001