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SI6913DQ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI6913DQ-T1-GE3
库存编号2454810RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续4.9A
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道4.9A
在电阻RDS（上）0.016ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.9A
漏源通态电阻N沟道0.016ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.016ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
晶体管封装类型TSSOP
针脚数8引脚
功耗 Pd830mW
耗散功率N沟道830mW
耗散功率P沟道830mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
4.9A
连续漏极电流 Id N沟道
4.9A
连续漏极电流 Id P沟道
4.9A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSSOP
功耗 Pd
830mW
耗散功率P沟道
830mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
在电阻RDS（上）
0.016ohm
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
漏源导通电阻P沟道
0.016ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033