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SI7288DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7288DP-T1-GE3
库存编号2646392
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0156ohm
漏源导通电阻P沟道0.0156ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道15.6W
耗散功率P沟道15.6W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.0156ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
15.6W
产品范围
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0156ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
15.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000742