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SI7309DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, 沟槽式FET, P通道, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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产品概述
The SI7309DN-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for CCFL inverter and class-D amplifier applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
19.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.115ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000158