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SI7463DP-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 100+ | CNY12.640 (CNY14.2832) |
| 500+ | CNY11.310 (CNY12.7803) |
| 1500+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7463DP-T1-E3
库存编号1684081
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续18.6A
漏源接通状态电阻9200µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.9W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI7463DP-T1-E3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
9200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000587