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SI7949DP-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.051 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7949DP-T1-E3
库存编号2101481
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道3.2A
连续漏极电流 Id P沟道3.2A
漏源通态电阻N沟道0.051ohm
漏源导通电阻P沟道0.051ohm
晶体管封装类型PowerPAK
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SI7949DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
- New low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
3.2A
漏源导通电阻P沟道
0.051ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.2A
漏源通态电阻N沟道
0.051ohm
晶体管封装类型
PowerPAK
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000125