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SI8483DB-T2-E1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, 表面安装
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI8483DB-T2-E1
库存编号2283651RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续16A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型MICRO FOOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值400mV
功率耗散13W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
P-channel 12V (D-S) MOSFET suitable for use in load switch for smart phones, tablet PCs and mobile computing.
- TrenchFET® power MOSFET
- Ultra-small outline
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
MICRO FOOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
13W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000053