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产品概述
Dual P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for sue in load switch, DC/DC converter.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
警告
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技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.048ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.048ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
SI9933CDY-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量(千克):.000113