打印页面
SI9933CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4 A
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9933CDY-T1-GE3
库存编号1779275
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道-A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道-ohm
漏源导通电阻P沟道0.048ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SI9933CDY-T1-GE3 是一款-20V, 双P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。 适用于DC-DC转换器和负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.048ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-V
连续漏极电流 Id N沟道
-A
漏源通态电阻N沟道
-ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
SI9933CDY-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000358