打印页面
SIA483ADJ-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,089 有货
需要更多？
4089 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
| 10+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
| 100+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 1000+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 5000+ | CNY0.975 (CNY1.1018) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY24.40 (CNY27.57 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA483ADJ-T1-GE3
库存编号3253827
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散17.9W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
17.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
0
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIA483ADJ-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001