打印页面
SIA527DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA527DJ-T1-GE3
库存编号3772807RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N和P沟道
晶体管极性N和P沟道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
电流, Id 连续4.5A
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd7.8W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压, Vds
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
12V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.024ohm
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
功耗 Pd
7.8W
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
SIA527DJ-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001