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SIA938DJT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.017 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.230 (CNY8.1699) |
| 10+ | CNY4.510 (CNY5.0963) |
| 100+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
| 500+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 1000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 5000+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY36.15 (CNY40.85 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
0
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005