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SIDR610DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY40.370 (CNY45.6181) |
| 10+ | CNY33.970 (CNY38.3861) |
| 100+ | CNY28.330 (CNY32.0129) |
| 500+ | CNY24.000 (CNY27.120) |
| 1000+ | CNY23.520 (CNY26.5776) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY40.37 (CNY45.62 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
39.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0319ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIDR610DP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.0003