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SIE810DF-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 236 A, 1400 µohm, PolarPAK, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.050 (CNY31.6965) |
| 10+ | CNY20.100 (CNY22.713) |
| 100+ | CNY16.560 (CNY18.7128) |
| 500+ | CNY14.930 (CNY16.8709) |
| 1000+ | CNY13.860 (CNY15.6618) |
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIE810DF-T1-E3
库存编号1497642
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续236A
漏源接通状态电阻1400µohm
晶体管封装类型PolarPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.3V
功率耗散125W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
236A
晶体管封装类型
PolarPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
1400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.3V
工作温度最高值
150°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00099