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SIHB12N50E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.450 (CNY18.5885) |
| 10+ | CNY14.490 (CNY16.3737) |
| 100+ | CNY11.170 (CNY12.6221) |
| 500+ | CNY9.710 (CNY10.9723) |
| 1000+ | CNY8.040 (CNY9.0852) |
| 2000+ | CNY7.470 (CNY8.4411) |
| 5000+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品概述
The SIHB12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching
- Reduced conduction losses
- Low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Halogen-free
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10.5A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
114W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.38ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02