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SIHD9N60E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 9 A, 0.368 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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制造商标准交货时间：25 周
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.480 (CNY15.2324) |
| 10+ | CNY11.380 (CNY12.8594) |
| 100+ | CNY9.280 (CNY10.4864) |
| 500+ | CNY7.970 (CNY9.0061) |
| 1000+ | CNY7.210 (CNY8.1473) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY13.48 (CNY15.23 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.368ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907