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SIHH24N65EF-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY68.230 (CNY77.0999) |
| 5+ | CNY66.870 (CNY75.5631) |
| 10+ | CNY65.510 (CNY74.0263) |
| 50+ | CNY64.140 (CNY72.4782) |
| 100+ | CNY62.780 (CNY70.9414) |
| 250+ | CNY61.410 (CNY69.3933) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY68.23 (CNY77.10 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
23A
晶体管封装类型
PowerPAK 8 x 8
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
202W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.158ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
E Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.00001