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SIHU6N65E-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-251 (IPAK), 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
| 10+ | CNY11.590 (CNY13.0967) |
| 100+ | CNY9.830 (CNY11.1079) |
| 500+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
| 1000+ | CNY5.340 (CNY6.0342) |
| 5000+ | CNY5.240 (CNY5.9212) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY13.57 (CNY15.33 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7A
晶体管封装类型
TO-251 (IPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.6ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
E Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.00017