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SIJH5700E-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 174 A, 4100 µohm, PowerPAK, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY48.270 (CNY54.5451) |
| 10+ | CNY33.450 (CNY37.7985) |
| 100+ | CNY25.050 (CNY28.3065) |
| 500+ | CNY24.390 (CNY27.5607) |
| 1000+ | CNY23.730 (CNY26.8149) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIJH5700E-T1-GE3
库存编号4014713
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续174A
漏源接通状态电阻4100µohm
晶体管封装类型PowerPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散333W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen V Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
174A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
333W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
4100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363