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SIR104ADP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.950 (CNY23.6735) |
| 10+ | CNY13.870 (CNY15.6731) |
| 100+ | CNY9.530 (CNY10.7689) |
| 500+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 1000+ | CNY7.490 (CNY8.4637) |
| 5000+ | CNY7.120 (CNY8.0456) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR104ADP-T1-RE3
库存编号3280631
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续81A
漏源接通状态电阻6100µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散100W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
81A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123