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SIR5211DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY7.190 (CNY8.1247) |
| 100+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
| 500+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 1000+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
| 5000+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
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品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
105A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8S
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
SIR5211DP-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074