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SIR624DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 18.6 A, 0.06 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY5.650 (CNY6.3845) |
| 500+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 1000+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
| 5000+ | CNY3.590 (CNY4.0567) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR624DP-T1-GE3
库存编号3772831RL
产品范围ThunderFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续18.6A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散52W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围ThunderFET
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
ThunderFET
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001