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SIR870ADP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 60 A, 0.0066 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY9.420 (CNY10.6446) |
| 500+ | CNY8.810 (CNY9.9553) |
| 1000+ | CNY8.420 (CNY9.5146) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY942.00 (CNY1,064.46 含税)
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR870ADP-T1-GE3
库存编号2283692RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻0.0066ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
SIR870ADP-T1-GE3 是一款100V N沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于初级侧开关, 电信和DC/DC逆变器应用。N沟道MOSFET适用于开关应用, 1mΩ导通电阻, 可处理85A。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0066ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
SIR870ADP-T1-GE3 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012