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SIRA06DP-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK SO-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.770 (CNY8.7801) |
| 10+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 100+ | CNY5.270 (CNY5.9551) |
| 500+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 1000+ | CNY3.400 (CNY3.842) |
| 5000+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRA06DP-T1-GE3
库存编号2459335
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻0.00205ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.1V
功率耗散62.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)Lead
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.00205ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
1.1V
针脚数
8引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:Lead
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000401