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SIRA20DP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 100 A, 580 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY7.010 (CNY7.9213) |
| 500+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 1000+ | CNY6.570 (CNY7.4241) |
| 5000+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY701.00 (CNY792.13 含税)
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产品概述
The SiRA20DP’s low on-resistance minimizes conduction power losses to improve system efficiency and enable higher power density, which is ideal for OR-ring functions in redundant power architectures.
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
580µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SIRA20DP-T1-RE3 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000266