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SIRA52ADP-T1-RE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 131 A, 1630 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.720 (CNY15.5036) |
| 10+ | CNY9.690 (CNY10.9497) |
| 100+ | CNY6.500 (CNY7.345) |
| 500+ | CNY5.170 (CNY5.8421) |
| 1000+ | CNY4.900 (CNY5.537) |
| 5000+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIRA52ADP-T1-RE3
库存编号3019119
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续131A
漏源接通状态电阻1630µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散48W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
131A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1630µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001