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SIS4604DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 44.4 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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| 500+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS4604DN-T1-GE3
库存编号4014723
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续44.4A
漏源接通状态电阻9500µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散33.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
44.4A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
33.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
9500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363