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SIS9634LDN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS9634LDN-T1-GE3
库存编号4139040RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性双N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续6A
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.024ohm
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.031ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd17.9W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道17.9W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
6A
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
功耗 Pd
17.9W
耗散功率N沟道
17.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
双N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
-
在电阻RDS（上）
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154