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SISF02DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.330 (CNY16.1929) |
| 10+ | CNY8.720 (CNY9.8536) |
| 100+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 500+ | CNY7.150 (CNY8.0795) |
| 1000+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
| 5000+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF02DN-T1-GE3
库存编号3128861
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道0.0027ohm
漏源导通电阻P沟道0.0027ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
0.0027ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0027ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015