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SISH106DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 12.5 A, 6200 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 500+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
| 1000+ | CNY5.760 (CNY6.5088) |
| 5000+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY750.00 (CNY847.50 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12.5A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
6200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001