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SISH615ADN-T1-GE3

Name: 功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 35 A, 0.0044 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
Brand: VISHAY
SKU: 3019134
Availability: InStock

功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 35 A, 0.0044 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装

图片仅用于图解说明，详见产品说明。

制造商VISHAY

制造商产品编号SISH615ADN-T1-GE3

库存编号3019134

产品范围TrenchFET Gen III

技术数据表

Data Sheet

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500+	CNY1.890 (CNY2.1357)
1500+	CNY1.890 (CNY2.1357)

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产品信息

制造商VISHAY

制造商产品编号SISH615ADN-T1-GE3

库存编号3019134

产品范围TrenchFET Gen III

技术数据表

Data Sheet

通道类型P通道

漏源电压, Vds20V

电流, Id 连续35A

漏源接通状态电阻0.0044ohm

晶体管封装类型PowerPAK 1212

晶体管安装表面安装

Rds(on)测试电压10V

阈值栅源电压最大值1.5V

功率耗散52W

针脚数8引脚

工作温度最高值150°C

产品范围TrenchFET Gen III

合规-

MSLMSL 1 -无限制

SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)

技术规格

通道类型

P通道

电流, Id 连续

35A

晶体管封装类型

PowerPAK 1212

Rds(on)测试电压

10V

功率耗散

52W

工作温度最高值

150°C

合规

SVHC(高度关注物质)

Lead (07-Nov-2024)

漏源电压, Vds

20V

漏源接通状态电阻

0.0044ohm

晶体管安装

表面安装

阈值栅源电压最大值

1.5V

针脚数

8引脚

产品范围

TrenchFET Gen III

MSL

MSL 1 -无限制

技术文档 (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN