打印页面
SISS40DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 36.5 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
3,146 有货
需要更多？
3146 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.710 (CNY6.4523) |
| 10+ | CNY4.740 (CNY5.3562) |
| 100+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 500+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 1000+ | CNY3.640 (CNY4.1132) |
| 5000+ | CNY3.320 (CNY3.7516) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY5.71 (CNY6.45 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISS40DN-T1-GE3
库存编号3772848
产品范围ThunderFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续36.5A
漏源接通状态电阻0.021ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散52W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围ThunderFET
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
36.5A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
产品范围
ThunderFET
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001