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SIZ260DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
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|---|---|
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| 50+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 100+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
| 500+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
| 1500+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ260DT-T1-GE3
库存编号3280637
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道24.7A
连续漏极电流 Id P沟道24.7A
漏源通态电阻N沟道0.0204ohm
漏源导通电阻P沟道0.0204ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
24.7A
漏源导通电阻P沟道
0.0204ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
24.7A
漏源通态电阻N沟道
0.0204ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123