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SIZ260DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ260DT-T1-GE3
库存编号3280637RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds N沟道80V
电流, Id 连续24.7A
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道24.7A
在电阻RDS（上）0.0204ohm
连续漏极电流 Id P沟道24.7A
漏源通态电阻N沟道0.0204ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.0204ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
晶体管封装类型PowerPAIR
功耗 Pd33W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
80V
电流, Id 连续
24.7A
连续漏极电流 Id N沟道
24.7A
连续漏极电流 Id P沟道
24.7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
在电阻RDS（上）
0.0204ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0204ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0204ohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
33W
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123