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SIZ270DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 19.5 A, 19.5 A, 0.0302 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 100+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
| 500+ | CNY5.280 (CNY5.9664) |
| 1000+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 5000+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ270DT-T1-GE3
库存编号3462761
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道19.5A
连续漏极电流 Id P沟道19.5A
漏源通态电阻N沟道0.0302ohm
漏源导通电阻P沟道0.0302ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
19.5A
漏源导通电阻P沟道
0.0302ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
19.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0302ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001