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SIZ322DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
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| 10+ | CNY5.490 (CNY6.2037) |
| 100+ | CNY3.810 (CNY4.3053) |
| 500+ | CNY3.180 (CNY3.5934) |
| 1000+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
| 5000+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ322DT-T1-GE3
库存编号2932983
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道0.00529ohm
漏源导通电阻P沟道0.00529ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道16.7W
耗散功率P沟道16.7W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SIZ322DT-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
0.00529ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.00529ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003