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SIZF916DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 900 µohm
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| 1+ | CNY16.610 (CNY18.7693) |
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| 100+ | CNY7.220 (CNY8.1586) |
| 500+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 1000+ | CNY5.380 (CNY6.0794) |
| 5000+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF916DT-T1-GE3
库存编号2932986
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道900µohm
漏源导通电阻P沟道900µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道60W
耗散功率P沟道60W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV SkyFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
900µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
60W
产品范围
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
900µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003