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SQ2361CEES-T1_BE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
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| 5000+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ2361CEES-T1_BE3
库存编号4644756
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.8A
漏源接通状态电阻0.17ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散2W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.8A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.17ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001