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SQ4532AEY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4532AEY-T1_GE3
库存编号3470717RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续7.3A
在电阻RDS（上）0.021ohm
连续漏极电流 Id N沟道7.3A
连续漏极电流 Id P沟道7.3A
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.021ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2V
功耗 Pd3.3W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.3W
耗散功率P沟道3.3W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.021ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7.3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.3W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
7.3A
连续漏极电流 Id N沟道
7.3A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
漏源导通电阻P沟道
0.021ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
3.3W
耗散功率N沟道
3.3W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001