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SQD30N05-20L_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQD30N05-20L_GE3
库存编号1869909
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散-
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
-
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
SQD30N05-20L_GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003